Суперпроводящая память: Управление током для будущего вычислений
![В исследовании продемонстрировано, что величина эффекта памяти в сверхпроводящих цепях настраивается посредством изменения амплитуды внешнего воздействия, причём увеличение размера возмущения приводит к увеличению гистерезиса в зависимости [latex]V(J)[/latex], что аналогично результатам, представленным ранее.](https://arxiv.org/html/2603.02450v1/2603.02450v1/x7.png)
Новое исследование демонстрирует возможность электрического управления эффектом памяти в сверхпроводнике UTe2, открывая перспективы для создания ультраэнергоэффективных вычислительных устройств.

![В представленной модели сканирующей головки туннельный переход, характеризующийся ёмкостью [latex]C_{J}[/latex] и сопротивлением [latex]R_{T}[/latex], интегрирован с фильтрами нижних частот, описываемыми ёмкостью [latex]C_{F}[/latex] и индуктивностью [latex]L_{F}[/latex], при этом ёмкость перехода эффективно шунтируется ёмкостью фильтров, что находит отражение в радиальных и осевых компонентах цилиндрических резонаторных мод, представленных первыми четырьмя модами для каждого направления и определяемых радиусом [latex]R[/latex] и длиной [latex]L[/latex] резонатора.](https://arxiv.org/html/2603.03166v1/2603.03166v1/figure4_arxiv.png)


![Структура устройств Холла и сравнение пиковой подвижности в зависимости от инженерных решений в области диэлектрического стека при 1,4 К демонстрируют, что оптимизация условий осаждения [latex]Al_2O_3[/latex] (температура и использование [latex]H_2O[/latex] или [latex]D_2O[/latex] в качестве окислителя) позволяет добиться повышения подвижности носителей в [latex]SiO_2/Al_2O_3[/latex] структурах, при этом более низкая подвижность коррелирует с повышенной плотностью перколяции, что указывает на увеличение беспорядка в канале проводимости.](https://arxiv.org/html/2603.02814v1/2603.02814v1/x1.png)