Гармонизация границ зон в гетероструктурах Si/SiGe: новые горизонты для электроники

Исследование предлагает всесторонний набор данных, полученных методами первопринципных расчетов, и аналитические выражения для определения энергетических смещений в деформированных гетероструктурах Si/Si1-xGex и Ge/Si1-xGex.


![Наблюдения показывают, что радиус горизонта событий [latex] r_{h} [/latex] обратно пропорционален температуре при заданных параметрах [latex] a=0.1 [/latex], [latex] \alpha=0.1 [/latex], [latex] Q=0.3 [/latex] и [latex] E_{p}=1 [/latex], что указывает на фундаментальную связь между термодинамическими свойствами и геометрией черной дыры.](https://arxiv.org/html/2603.12784v1/x3.png)
![Двухэтапная схема запутанности, начинающаяся с состояния [latex]\ket{\Psi\_{0}}=\ket{\text{SQ}\_{1}\text{SQ}\_{2}}\_{0}=\ket{\uparrow\downarrow}\_{0}[/latex], где первый спиновый кубит (SQ1) подготовлен в возбужденном состоянии [latex]\ket{\uparrow}[/latex], а второй (SQ2) - в основном [latex]\ket{\downarrow}[/latex], предполагает последовательное отсоединение основного спинового кубита и применение операции [latex]\sqrt{i\mathrm{SWAP}}[/latex] между возбужденным кубитом и резонатором, за которым следует операция [latex]i\mathrm{SWAP}[/latex] между SQ2 и резонатором, оставляя резонатор пустым.](https://arxiv.org/html/2603.12900v1/two-step_entangling.png)

